[siteorigin_widget class=”SiteOrigin_Widget_Button_Widget”][/siteorigin_widget]
[siteorigin_widget class=”SiteOrigin_Widget_Button_Widget”][/siteorigin_widget]
[siteorigin_widget class=”SiteOrigin_Widget_Button_Widget”][/siteorigin_widget]
[siteorigin_widget class=”SiteOrigin_Widget_Button_Widget”][/siteorigin_widget]
[siteorigin_widget class=”SiteOrigin_Widget_Button_Widget”][/siteorigin_widget]
[siteorigin_widget class=”SiteOrigin_Widget_Button_Widget”][/siteorigin_widget]
[siteorigin_widget class=”SiteOrigin_Widget_Headline_Widget”][/siteorigin_widget]
Lignes de métal
(largeur < 20 nm)
Nanoplots de métal Cr/Au
(diamètre < 50 nm)

Alignement de deux niveaux par lithographie électronique
Système Pioneer
- Source FEG (cathode chaude à émission de champ)
- Colonne électronique (100eV à 30 keV)
- Taille de sonde <2nm
- Résolution <20nm
- Platine interférométrique 5cmx5cm (précision <20nm)
- Ré-alignement <20nm
Aligneur de masques MJB4 (Süss Microtec)
- Lithographie UV
- Lumière filtrée 365nm
- Résolution 0,8µm
- Taille de wafers jusqu’à 100mm
- Ré-alignement <1µm
Lithographie sans masques µMLA (Heidelberg)
- Lithographie UV sans masque
- Lumière 365nm
- Résolution 1 µm
- Taille de wafers jusqu’à 100mm
- Ré-alignement 1 µm