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Gravure par attaque chimique (isotrope et anisotrope)
Gravure par plasma réactif (RIE)
Gaz disponibles: CHF3 SF6 O2
Matériaux : Si SiO2 Si3N4 TiO2 WO3
Gravure de métaux par plasma couplé inductivement (ICP)
Usinage ionique (Gravure par faisceau d’argon)
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